GaN系半导体材料生长的MOCVD控制系统设计与实现_金属有机化合物化学气相淀积_

GaN系半导体材料生长的MOCVD控制系统设计与实现

2013/4/3 15:32:36

MOCVD(Metal Organic Chem icalVapor Deposition)(金属有机化合物化学气相淀积)是一种高质量半导体材料生长技术,以MO化合物为材料源,在合适的淀积温度下,利用易挥发的MO化合物转移相对稳定的金属原子,进行材料的淀积[1]。MOCVD技术主要应用于半导体材料、纳米材料等材料生长