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STT-MRAM非易失性存储器技术优点

STT-MRAM非易失性存储器技术优点

2019/12/17 16:25:50

到目前为止,设计人员可以使用的存储技术是易变的,这意味着在断电后,存储器中的数据内容会丢失。但是,随着Everspin Technologies推出256Mb STT-MRAM,系统现在可以拥有像DRAM这样具有高性能的内存,但可以提供持久的非易失性数据存储。

stt-mram.jpg

图1:STT-MRAM

STT-MRAM代表自旋转移转矩磁阻随机存取存储器。写入STT-MRAM设备的任何数据本来就是持久的,不需要任何电池或超级电容器。通过写入存储阵列来捕获数据,该存储阵列可利用极化电流控制电子自旋。 STT-MRAM的性能类似于DRAM,但不需要刷新。当前可用的接口是ST-DDR3,它与标准JEDEC DDR3非常相似。将来还将提供ST-DDR4接口,从而带来更高的速度和更大的容量。

STT-MRAM技术的一些优点是:

•非易失性数据

•性能特征类似于DRAM

记忆

•十亿次以上的数据耐久性

•DDR3兼容封装和未来的DDR4

兼容的脚印

•ST-DDR3接口和将来的ST-DDR4接口

•字节读写(无块)

STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的一种新型非易失性磁随机存储器,是磁性存储器MRAM 的二代产品。STT-MRAM存储单元的核心仍然是一个MTJ,由两层不同厚度的铁磁层及一层几个纳米厚的非磁性隔离层组成,它是通过自旋电流实现信息写入的

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王静
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