化学机械抛光/平面化（CMP）：浆料测量

1 引言

化学机械平面化（CMP）是微电路制造过程中的关键生产步骤。电子组件越小，CMP工艺越复杂。客户的目标是拥有平坦，光滑，抛光的晶圆。

抛光过程在洁净室中进行，该洁净室中的空气每立方米包含少于一个灰尘颗粒。在抛光垫和晶片之间使用主要包含纯水，化学试剂和不同抛光颗粒的浆料。浆料的“合格”取决于其稳定性和污染等级。异物颗粒，溶解的二氧化碳和离子污染会干扰抛光工艺以及浆料颗粒的聚集体和附聚物。浆料特性的动态测量与定义的控制极限可用于确定浆料的合格状况。

尤其是半导体行业中使用的多部分浆料会导致快速分离。即使浆料颗粒很小，由于较高的密度，这些颗粒也会向下移动。准均质浆料通常以浓缩液形式输送，并在现场用水稀释。

如果在混合浆料后立即安装了密度传感器，可以立即看到泥浆已准备好使用。传感器将每秒发送一次测量读数，因此可以进行快速质量控制。

使用后，将浆液收集在废物箱中。晶片抛光只能使用新鲜且混合均匀的浆料。

2 结构

3 应用场合和优势

在线监测可提供实时数据，以指示浆料合格状况并检测磨料浓度的变化。通常，使用不同的浆料。每种浆料类型都将通过理想（目标）密度值来识别。传感器材料的浸润部分可以承受浆料成分的化学侵蚀。由于颗粒极小，因此密度传感器没有磨损。

只有在规格限制内的稳定浆料密度以及其他机器参数（如转速，下压力，抛光时间）才能保证令人满意的晶片表面。

4 传感器

L-Dens 7400在线密度传感器具有较低的运行成本并提供精确的结果。L-Dens 7400 传感器的品种繁多，包括不同材料、工艺连接和通讯接口，可确保以最佳集成方式投入企业应用。

集成成本低

安装后免维护

寿命长

高准确度

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