IR宣称在功率器件技术上取得重大突破，“为电源转换开创新时代”

IR暗示，与现有一代硅基工艺相比，这种基于硅上氮化镓的外延工艺技术提供了重大改进，针对关键应用的性能系数提高了10倍。

该公司表示，“它将在诸如计算、通信、汽车以及电器等各个市场领域的终端应用中极大地提高性能并削减能耗。”

IR总裁兼首席执行官Oleg Khaykin表示，“这种基于GaN的技术平台和IP组合扩大了我们在功率半导体器件上的领导地位，并为电源转换开创了一个新时代，符合我们帮助客户节省能源的核心使命。”

他补充说：“我们完全可以预料这一新的器件技术平台对电源转换市场的潜在影响，至少影响力与大约30年前IR推出的功率HEXFET的一样大。”

该公司表示，由这种工艺制成的产品将引发各个领域应用的重大进步，包括AC-DC电源转换、DC-DC电源转换、电机驱动、照明、高密度音频和汽车系统。

原型采用了高吞吐量、150毫米GaN-on-Si外延平台以及后续的器件制造工艺，它们将在11月11-14日于慕尼黑举行的电子展上向领先的OEM展示和供货。

国际整流器公司还将在未来两周内举行的若干主要行业活动中高调展示这一平台，包括：9月15-17日在旧金山举行的Digital Power Forum 08；9月17-18日在San Jose举行的Embedded Power Conference；9月22-24日在爱尔兰科克举行的Power Supply on A Chip国际工作坊。