让CMOS集成高压功能，ESD是关口
2009/5/31 9:48:26
一个由英飞凌（Infineon Technologies）和印度孟买理工学院（Indian Institute of Technology, Bombay）组成的联合研究小组，近日宣称可将高电压功能集成在先进的CMOS技术中。
该联合项目成立于2007年，主要致力于对I/O设备设计领域以及多门MOSFET的45纳米CMOS技术的研究。该联合小组研究人员表示，弱ESD鲁棒性和高ESD应力性，是利用先进CMOS技术制造高压接口（10V或以上）的主要障碍。
该团队的研究结果表明，设备的高压功能、从USB接口到高压线驱动器，都可以集成在采用45纳米甚至以下的CMOS片上系统。
英飞凌的ESD研究高级首席工程师Harald Gossner表示，“这次合作对我们在理解一些现有设备的可靠性问题是十分有益的，所提出的解决方案也大大提升了我们的产品性能。”
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