GE TJK636450

• 型号： GE TJK636450


• 数量：10


• 制造商：　厦门兴锐达自动化设备有限公司


• 有效期：2019/2/1 0:00:00

ZENITH CONTROLS INC ZG2SA0103N-05S513X USPP ZG2SA0103N05S513

 GE 746X901004 USPP 746X901004

 GE 706X66G259 USPP 706X66G259

 GE 5K49SN6115AS NSPP 5K49SN6115AS

 GE 5K213CC305P NSPP 5K213CC305P

 GE 3S7511VS580B1 USPP 3S7511VS580B1

 GE 21805 USPP 21805

 GE TJJ436225 NSPP TJJ436225

 GE 6193403-G5 USPP 6193403G5

GE TJK636450

 GE THJK436125 USPP THJK436125

 GE 6VFW1033 USPP 6VFW1033

 GE 356X210AAG06 USPP 356X210AAG06

 GE TED134110 USPP TED134110

 GE 12IAC77B32A NSPP 12IAC77B32A

GE TJK636450

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出一对双N通道增强型MOSFET DMN2014LHAB及DMN2011UFX，为电池充电电路提供紧凑型双向低损耗开关。新产品的目标终端市场包括智能手机、平板电脑、照相机和媒体播放器等便携式产品使用的单芯及双芯锂电池充电器 。

DI0821_DMN2014LHAB-DMN2011U.jpg

DMN2014LHAB及DMN2011UFX为双共汲极配置MOSFET，在启动后可驱动双向电流充电或工作使用；在关断后则通过防止过度充电或漏电流过量来保护电池。DMN2014LHAB及DMN2011UFX具有20V的击穿电压额定值，还分别配备少于13mΩ和9.5mΩ的低导通电阻，可在正常工作下降低电池功耗。最高达80A的峰值电流使开关在保护电路启动前就能简单解决短路问题，少于1V的低栅极阈值电压则确保器件能够在低至1.8V驱动电压下正常工作。

DMN2014LHAB采用2mm x 3mm DFN2030微型封装，DMN2011UFX则采用2mm x 5mm DFN2050封装，为设计人员提供外形小巧的解决方案，从而利用省下来的空间来存放额外的电芯，并提高电池容量。

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 GE DFC421 USPP DFC421

 GE 546A780G053 NSFP 546A780G053

 GE TH3363 USPP TH3363

 GE TJJ436350WL USPP TJJ436350WL

 GE DS3800DMPB1B1B USPP DS3800DMPB1B1B

 MICROWAVE DATA SYS MDS-2710D USPP MDS2710D

 GE 44A723684-003R02/2 USPP 44A723684003R022

GE TJK636450

 GE CR308X190B USPP CR308X190B

 GE 193X-546ADG01 USPP 193X546ADG01

 GE 12HFA153K2F USPP 12HFA153K2F

 GE 12IAC55A2A NSFP 12IAC55A2A

 GE SVCA480D USPP SVCA480D

 GE 44A398786-G07 USPP 44A398786G07

 GE CL07E311MD NSFP CL07E311MD

GE TJK636450

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