8444-1076 Woodward 现货特价

• 型号：8444-1076


• 数量：7


• 制造商：厦门戎丰电气设备有限公司


• 有效期：2024/5/13 0:00:00

当前，随着5G、WiFi等技术不断演进与应用，射频前端芯片正迎来新的发展机遇。一方面，受益5G频段增加，射频前端芯片应用领域进一步拓展，市场呈现大幅增长态势；另一方面射频前端芯片技术高频化和集成化，为工艺技术发展带来新的变革。尽管以GaAs工艺为代表的III-V族PA仍然为射频前端芯片主流技术，但硅基CMOS PA凭借低成本、高集成度、漏电流低、导热性好等优势，正从非主流应用地位转变，将在WiFi、物联网等应用领域大放异彩。

2000年以来，全球大批工程师、科学家对CMOS PA技术进行了大量的产业化应用研究，虽曾在线性CMOS PA产业化折戟，但对CMOS工艺的执着从未间断。过去十年，一批国内企业开始在CMOS PA技术上有所建树，特别在低频 2G、3G上占有一定的市场地位。而一些射频前端企业也在持续研究4G线性CMOS PA，取得了一定发展成绩。地芯科技就是典型的代表，并将于5月18日在上海发布全球首款线性4G CMOS PA。

PA技术路线之争

射频PA是通信链路中至关重要的器件，负责将发射链路中的射频信号做最后的放大，输送到天线，也是整个通信链路中功耗最大的器件之一。

在低频 2G、3G时代，CMOS PA 曾经凭借低成本优势，以及易于与传统硅基数字电路进行集成，也出现了短暂的发展荣光。但从3G时代后，GaAs（砷化镓）工艺凭借击穿电压、输出功率等优势，开始替代CMOS PA成为主流。

相较于GaAs PA，CMOS PA主要差距在于材料上的劣势。具体体现在：一是电流密度。GaAs的电子迁移率比Si高出很多，因此HBT器件相较CMOS器件的电流密度也要高出很多。而要达到相当的增益，往往需要更大的CMOS器件或者更多的级联才能匹配到GaAs PA的水平。

二是Vknee电压和效率。GaAs HBT的I-V curve表现出很低的Vknee电压，在CMOS器件中随着Vds平缓增加的电流，导致了较高的Vknee电压。这使得在饱和功率下，PA的效率大打折扣，同时也体现出CMOS管子的源漏寄生电阻比较大。

三是击穿电压（BV）vs. 截止频率(ft)。CMOS工艺的频率响应和工艺节点强相关，PA一般工作在ft十分之一的频率比较容易实现设计。GaAs HBT的ft在40G左右，比较适用于sub 6G以下的大部分应用；0.35um的CMOS器件ft在26G左右，45nm的器件可以达到超过200G的ft，因此可以触及毫米波的应用场景，22nm更是可以达到接近500G的截止频率。因此CMOS工艺随着工艺节点缩微化，可以工作在极高的频率，但最大的硬伤和痛点在击穿电压。

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