目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管等。
开关电源由高频磁芯、高频电容、高反压大功率晶体管、功率整流二极管及控制电路等主要部件构成。其中，整流二极管为关键部件，因为其功耗最大，约占电源功耗的30%。
为了获得最大的输出功率,在正常工作中,逆变器的工作频率应近于并联谐振电路的固有振荡频率。
氮化铝陶瓷基板的设计是IGBT模块结构设计中的一环，陶瓷基板设计的优劣将会影响到模块的电气特性，所以想要很好的完成IGBT的设计，就需要遵循氮化铝陶瓷基板的一些原则。
电子元件的插入应整齐、美观、稳定。同时应便于焊接，并有利于构件焊接时的散热。本文将总结组件插入的相关知识。如果您对本文的内容感兴趣
通常，额定电流超过1安培的半导体器件称为功率半导体。它们阻断电压范围从几伏一直到上万伏。在众多的功率半导体器件中，功率二极管是相对简单的一种器件，但它同时也是在电力电于电路中应用最为广泛的一种常用基础器件。