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| 产品特性 |
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精确的只测量晶片厚度 |
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| SI-F80R 系列使用近红外 SLD，可穿过硅、砷化镓、碳化硅、磷化铟、非晶硅及其它半导体。即使晶片已封上 BG（背磨）胶带，也可精确测出晶片厚度。 |
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同类中最高的规格 |
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几乎不受晶片图案的影响 |
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| 通过减小光点直径和光点内的表面相差，可最大限度的减少晶片表面图案的变化和测量警报的发生次数。 |
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之前的所有问题迎刃而解 |
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| [传统方式] 接触式测量 |
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使用两个传感器一上一下不接触晶片进行测量 |
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| • 测量时可能会损坏晶片。 • 传感器将测量包括 BG 胶带在内的高度，一旦胶带厚度发生变化，整个结果就会出现误差。 |
• 很难在一条直线上对齐两个传感器的光轴。 • 传感器将测量包括 BG 胶带在内的厚度，一旦胶带厚度发生变化，整个结果就会出现误差。 |
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| 紧靠生产线进行简单精确的测量 | |
在生产线中持续监控 | |
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| • 只需将传感器放在距离晶片 80 mm 的位置，即可轻松进行测量。 • 不接触晶片，避免晶片损伤。 • 传感器可直接只测量晶片厚度，因此测量不受 BG 胶带的影响。 |
• 小巧的传感头可安装在距离晶片 80 mm 的位置，因此可在抛光的同时在设备内部持续监控晶片厚度。 | ||
相关产品请下载：
http://www.gongkong.com/company/datum/2013091615505600001.htm
