GE 531X199SPTACG1

• 型号：GE 531X199SPTACG1


• 数量：10


• 制造商：　厦门兴锐达自动化设备有限公司


• 有效期：2019/2/1 0:00:00

GE 302A3600CGP4 USPP 302A3600CGP4

 GE 531X166MHCACG1 NSFP 531X166MHCACG1

 GE 193X-548AAG01 USPP 193X548AAG01

 BENTLY NEVADA 3500/50 NSPP 350050

 GE 12IFC77A1A USPP 12IFC77A1A

GE 531X199SPTACG1

 GE 7VXAS057CD01 USPP 7VXAS057CD01

 GE CR308B1191AJDLLJ NSFP CR308B1191AJDLLJ

 GE 44A398786-G07 NSPP 44A398786G07

 GE 531X170TBSAFG1 NSFP 531X170TBSAFG1

 GE DS3880PSCB1D1B NSPP DS3880PSCB1D1B

GE 531X199SPTACG1

意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）推出新款M系列650V IGBT，为电源设计人员提供一个更快捷经济的能效解决方案，适用于暖通空调系统（HVAC）电机驱动、不间断电源、太阳能转换器以及所有的硬开关（hard-switching）电路拓扑20kHz功率转换应用。

650V-IGBT可大幅提升20kHz功.JPG

采用意法半导体的第三代沟栅式场截止型（trench-gate field-stop）低损耗制造工艺，M系列IGBT有一个全新沟栅（trench gate）和特殊设计的P-N-P垂直结构，可以在导通损耗和开关损耗之间找到了最佳平衡点，从而能够大幅提升晶体管的整体性能。在150°C初始高结温时，最小短路耐受时间为6μs，175°C最大工作结温及宽安全工作范围有助于延长元器件的使用寿命，同时提高对功率耗散有极高要求的应用可靠性。

此外，新产品的封装还集成了新一代续流二极管（Free-wheeling Diode）。新二极管提供快速恢复功能，并同时保持低正向压降和高恢复软度。这项设计不仅可实现优异的EMI保护功能，同时可以有效降低开关损耗。正VCE(sat)温度系数，结合紧密的参数分布，使新产品能够安全并联，并满足更大功率的要求。

M系列产品的主要特性：

?    650V IGBT，大部分竞争产品为600V；

?    低VCE(sat) (1.55V @25°C) 电压，能够最大限度降低导通损耗；

?    出色的稳健性，拥有广泛的安全工作范围以及无闩锁现象（latch-free operation）；

?    业内最佳的Etot - Vce(sat) 平衡比；

?    175°C最大工作结温；

?    高温短路耐受时间最短6μs；

?    电压过冲有限，确保关断期间无振荡；

最新发布的M系列拥有10A及30A两种可选额定电流，提供各种功率封装选择，包括TO-220、D2PAK和TO-247 LL长脚封装，与意法半导体针对高频工业应用研发的HB系列650V IGBT（高达60 kHz）相互补充。

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 GE 55-176451G034 NSPP 55176451G034

 GE 193X643AG-G223 NSPP 193X643AGG223

 GE 22D63-G3A USPP 22D63G3A

 GE EJ-0-1DD USPP EJ01DD

GE 531X199SPTACG1

 GE TB13035BWE05 USPP TB13035BWE05

 GE 9F62FDD150 USPP 9F62FDD150

 GE FUJI 6KES34DBR015 NSPP 6KES34DBR015

 GE PWB188A3022G1 USPP PWB188A3022G1

 GE 12NGV13A11A USPP 12NGV13A11A

 BENTLY NEVADA 77589-01-90 NSPP 775890190

 GE 44A294507G01 USPP 44A294507G01

 GE TB42400AF14 USPP TB42400AF14

 GE TB13060BWE09 USPP TB13060BWE09

GE 531X199SPTACG1

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