BENTLY NEVADA 3300010100

• 型号： BENTLY NEVADA 3300010100


• 数量：10


• 制造商：　厦门兴锐达自动化设备有限公司


• 有效期：2019/2/1 0:00:00

GE 44A398795-G04 USPP 44A398795G04

 MULTILIN 12CFD22B1A USPP 12CFD22B1A

 GE 121AC77B34A USPP 121AC77B34A

 GE 0207A1102-TPAA1 USPP 0207A1102TPAA1

 GE DS303A5A01JXA003XM00 USPP DS303A5A01JXA002

 MULTILIN 12HAA12B3A NSFP 12HAA12B3A

BENTLY NEVADA  3300010100

 GE 0207A251 NSPP 0207A251

 BENTLY NEVADA PWA87850-01 USPP PWA8785001

 GE 5KS256AC205 USPP 5KS256AC205

 GE 193X-527ABG01 USPP 193X527ABG01

 GE DLTGB422 NSPP DLTGB422

 BENTLY NEVADA 72050-01-01 USPP 720500101

 GE 531X191RTBAJG1 USPP 531X191RTBAJG1

BENTLY NEVADA  3300010100

意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）推出新款M系列650V IGBT，为电源设计人员提供一个更快捷经济的能效解决方案，适用于暖通空调系统（HVAC）电机驱动、不间断电源、太阳能转换器以及所有的硬开关（hard-switching）电路拓扑20kHz功率转换应用。

650V-IGBT可大幅提升20kHz功.JPG

采用意法半导体的第三代沟栅式场截止型（trench-gate field-stop）低损耗制造工艺，M系列IGBT有一个全新沟栅（trench gate）和特殊设计的P-N-P垂直结构，可以在导通损耗和开关损耗之间找到了最佳平衡点，从而能够大幅提升晶体管的整体性能。在150°C初始高结温时，最小短路耐受时间为6μs，175°C最大工作结温及宽安全工作范围有助于延长元器件的使用寿命，同时提高对功率耗散有极高要求的应用可靠性。

此外，新产品的封装还集成了新一代续流二极管（Free-wheeling Diode）。新二极管提供快速恢复功能，并同时保持低正向压降和高恢复软度。这项设计不仅可实现优异的EMI保护功能，同时可以有效降低开关损耗。正VCE(sat)温度系数，结合紧密的参数分布，使新产品能够安全并联，并满足更大功率的要求。

M系列产品的主要特性：

?    650V IGBT，大部分竞争产品为600V；

?    低VCE(sat) (1.55V @25°C) 电压，能够最大限度降低导通损耗；

?    出色的稳健性，拥有广泛的安全工作范围以及无闩锁现象（latch-free operation）；

?    业内最佳的Etot - Vce(sat) 平衡比；

?    175°C最大工作结温；

?    高温短路耐受时间最短6μs；

?    电压过冲有限，确保关断期间无振荡；

最新发布的M系列拥有10A及30A两种可选额定电流，提供各种功率封装选择，包括TO-220、D2PAK和TO-247 LL长脚封装，与意法半导体针对高频工业应用研发的HB系列650V IGBT（高达60 kHz）相互补充。

长欣不吹牛！想要比同行低15个点！请贵宾来电！保证满意！

 MULTILIN 12IRT53C2A USPP 12IRT53C2A

 GE 193X546AEG01 USPP 193X546AEG01

 GE 531X123PCHAAG1 USPP 531X123PCHAAG1

 GE 9F62DDD065 NSFP 9F62DDD065

 GE FUJI 6KE1143003X1A1 NSFP 6KE1143003X1A1

 GE 305A2012 USPP 305A2012

BENTLY NEVADA  3300010100

 GE CR-308-B1021AAAADB USPP CR308B1021AAAADB

 FUJITSU CC1C-DL1 NSPP CC1CDL1

 GE 201276-011 USPP 201276011

 GE 531X133PRUAHG1 USPP 531X133PRUAHG1

BENTLY NEVADA  3300010100

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