GE 531X133PRUAJG1
- 型号： GE 531X133PRUAJG1
- 数量：10
- 制造商： 厦门兴锐达自动化设备有限公司
- 有效期：2019/2/1 0:00:00
GE THJK436150WL USPP THJK436150WL
GE ACR11E3A NSFP ACR11E3A
GE FUJI 6VAF323001A USPP 6VAF323001A
GE 0431B448P0003 USPP 0431B448P0003
GE FUJI 6KG1123005X1B1 USPP 6KG1123005X1B1
GE 531X121PCRAKG1 USPP 531X121PCRAKG1
GE 6VAF343001N-A2 USPP 6VAF343001NA2
GE 531X133PRUAJG1
GE 193X182ABG01 USPP 193X182ABG01
GE 5BCD56ND91 NSFP 5BCD56ND91
GE DS3800NTDF1A1A NSPP DS3800NTDF1A1A
GE 12IAC55A101A NSFP 12IAC55A101A
GE TE100CS USPP TE100CS
GE 121FC53A1A USPP 121FC53A1A
GE 531X133PRUAJG1
Analog Devices, Inc.推出HMC1127和HMC1126 MMIC（单芯片微波集成电路）分布式功率放大器。 这些新型功率放大器裸片涵盖2-50 GHz的频率范围，可简化系统设计并提高性能，频段之间无需射频开关。 各放大器I/O内部匹配50 Ω阻抗，方便轻松集成到多芯片模块中。 所有数据均由芯片获取，芯片通过长0.31 mm (12 mil)的两条0.02 mm (1 mil)线焊连接。 HMC1126和HMC1127基于GaAs（砷化镓）pHEMT（赝晶型高电子迁移率晶体管）设计，非常适合仪器仪表、微波无线电与VSAT天线、航空航天与防务系统、电信基础设施以及光纤应用。
ADI推出2-50-GHz分布式功率放.jpg
HMC1127 GaAs pHEMT MMIC分布式功率放大器主要特性：
? P1dB输出功率： 12.5 dBm
? Psat输出功率： 17.5 dBm
? 增益： 14.5 dB
? 输出IP3： 23 dBm
? 电源电压： +5 V (80 mA)
? 50 Ω匹配输入/输出
? 裸片尺寸： 2.7 x 1.45 x 0.1 mm
HMC1126 GaAs pHEMT MMIC分布式功率放大器主要特性：
? P1dB输出功率： 17.5 dBm
? Psat输出功率： 21 dBm
? 增益： 11 dB
? 输出IP3： 28 dBm
? 电源电压： +5 V (65 mA)
? 50 Ω匹配输入/输出
? 裸片尺寸： 2.3 x 1.45 x 0.1 mm
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GE 44B399821-002-2 USPP 44B3998210022
GE 12IFC53B2A NSPP 12IFC53B2A
GE 6VAF323001B NSFP 6VAF323001B
GE 531X207LCSAHG1 USPP 531X207LCSAHG1
GE CR115A12 NSFP CR115A12
GE 531X133PRUAJG1
GE CR309C002 USPP CR309C002
MULTILIN 12IRT53C6A USPP 12IRT53C6A
GE 55-522522G006 NSPP 55522522G006
GE TB83T600 USPP TB83T600
BENTLY NEVADA 21504-000-008-10-02 NSFP 215040000081002
GE CR360L51202AAAD NSPP CR360L51202AAAD
GE 193X-711AEG03 USPP 193X711AEG03
GE 44B399822-002-2 USPP 44B3998220022
GE 531X133PRUAJG1
联系人:刘锦燕
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