芯源HFG610-65 具有集成 GaN HEMT 的高频准谐振反激式稳压器

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HFG610-65 是一款集成 GaN HEMT 的准谐振 (QR) 反激式稳压器，专用于高性能和高频设计。与传统QR 反激式稳压器不同，HFG610-65 中的频率折返功能可确保全负载范围内的高效率。

HFG610-65 是一款基于副边调节 (SSR) 的原边调节器，它必须与副边反馈电路（例如 TL431 和光耦合器）配合使用。其高频率缩小了无源元件的尺寸并实现了更高的功率密度。HFG610-65 还集成了高压启动和 X 电容放电电路，并在突发模式下具有超低静态电流 (IQ)，因此空载功耗低于 30mW。

该器件采用专有谷值锁定技术，可抑制运行过程中的谷值跳跃，因此可避免噪声的产生。它还具有宽VCC电压（VCC）范围，因此适用于具有宽输出电压（VOUT）范围的应用，而且无需添加辅助绕组。

HFG610-65 具有先进的保护功能，包括原边采样输出过压保护 (ZCD OVP)、原边采样输出欠压保护 (ZCD UVP)、VCC 过压保护 (VCC OVP)、输出过载保护 (OLP) 、内部欠压保护和开启 (B/O和B/I)、短路保护 (SCP)、电流采样开路/短路保护 (CSOP/SSP)、内部过温关断 (OTP)保护和欠压锁定（UVLO）保护。

HFG610-65 采用 QFN-25 (7mmx7mm) 封装。

产品特性和优势

集成 700V/165mΩ GaN HEMT

创新专有准谐振 (QR) 控制，可消除可闻噪声

频率折返功能和突发模式可实现低轻载功耗

超宽 VCC 电压 (VCC) 范围，适用于 USB 供电 (PD) 应用

内置 X 电容放电器

内置高压启动电路

采用 PD 协议 IC ，具有超低待机功耗 (<30mW)

峰值电流模式控制和前沿消隐

欠压锁定 (UVLO)保护